什麼是真空鍍膜,真空鍍膜和光學鍍膜有什麼區別

時間 2022-11-25 08:30:06

1樓:

真空鍍膜就是在接近真空的環境下給原件鍍膜

2樓:匿名使用者

真空蒸發鍍膜裝置主要用於在經予處理的塑料、陶瓷等製品表面蒸鍍金屬薄膜(鍍鋁、鉻、錫、不鏽鋼等金屬)、七彩膜仿金膜等,從而獲得光亮、美觀、價廉的塑料,陶瓷表面金屬化製品。廣泛應用於工藝美術、裝璜裝飾、燈具、傢俱、玩具、酒瓶蓋、女式鞋後跟等領域,

jtpz多功能鍍膜技術及裝置(加有射頻等離子體聚合的蒸發鍍膜機),針對汽車、摩托車燈具而設計的,在一個真空室內完成蒸發鍍鋁和射頻等離子體鍍保護膜,這種鍍膜後燈具具有“三防”功能。射頻等離子體聚合膜還應用於光學產品、磁記錄介質、軍事國防保護膜;防潮增透膜;防鏽抗腐蝕;耐磨增硬膜。

使用者選擇在燈具基體上噴底漆、鍍鋁膜、鍍保護膜或燈具基體在真空室進行前處理(不噴底漆)、鍍鋁膜、鍍保護膜工藝。

在abs,pc,pbt,pe,pp,pa66等塑料基體上直接鍍膜,不需噴底漆,也不需噴面漆(不需要投資噴塗裝置),在鍍完鋁膜後直接鍍一層保護膜。滴1%naoh溶液10分鐘鋁層不腐蝕,去離子水中浸飽96小時鋁層不脫落。

磁控濺射鍍膜裝置及技術介紹

a旋轉磁控濺射鍍膜機;旋轉磁控濺射鍍膜技術,是國內外最先進的磁控濺射鍍膜技術,靶材利用率達到70~80%以上,基體鍍膜均勻,色澤一致。

b平面磁控濺射鍍膜機;

c中頻磁控濺射鍍膜機;

d射頻磁控濺射鍍膜機。

可以在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不鏽鋼、鎳、鉬、矽、鈦鋁及金屬反應物(氧化物、氮化物、炭化物)、半導體金屬及反應物。所鍍膜層均勻、緻密、附著力好等特點。

多弧離子鍍膜裝置及技術

該技術在各種金屬和非金屬表面上,如不鏽鋼、鋁合金、銅、鐵以及陶瓷、玻璃等塗鍍各種金屬、非金屬及其化合物的膜層和複合膜層,如ti、zr、tin、tic、tio2、zrn、zrc|、zro等,產生耐磨、耐蝕、耐用的各種顏色裝飾效果:如金色系列、彩色系列、黑色系列等等可廣泛用於建築、傢俱、機械工模具等行業。

等離子擴滲鍍膜裝置及技術

3樓:匿名使用者

在真空條件下,對光學零件鍍膜的工藝過程

真空鍍膜和光學鍍膜有什麼區別

4樓:胡說八道小鬼

一、概念的區別

1、真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,使其蒸發並凝結於鍍件(金屬、半導體或絕緣體)表面而形成薄膜的一種方法。例如,真空鍍鋁、真空鍍鉻等。

2、光學鍍膜是指在光學零件表面上鍍上一層(或多層)金屬(或介質)薄膜的工藝過程。在光學零件表面鍍膜的目的是為了達到減少或增加光的反射、分束、分色、濾光、偏振等要求。常用的鍍膜法有真空鍍膜(物理鍍膜的一種)和化學鍍膜。

二、原理的區別

1、真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面,它是以真空技術為基礎,利用物理或化學方法,並吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術,為科學研究和實際生產提供薄膜製備的一種新工藝。簡單地說,在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射,使其在被塗覆的物體(稱基板、基片或基體)上凝固並沉積的方法。

2、光的干涉在薄膜光學中廣泛應用。光學薄膜技術的普遍方法是藉助真空濺射的方式在玻璃基板上塗鍍薄膜,一般用來控制基板對入射光束的反射率和透過率,以滿足不同的需要。為了消除光學零件表面的反射損失,提高成像質量,塗鍍一層或多層透明介質膜,稱為增透膜或減反射膜。

隨著鐳射技術的發展,對膜層的反射率和透過率有不同的要求,促進了多層高反射膜和寬頻增透膜的發展。為各種應用需要,利用高反射膜製造偏振反光膜、彩色分光膜、冷光膜和干涉濾光片等。光學零件表面鍍膜後,光在膜層層上多次反射和透射,形成多光束干涉,控制膜層的折射率和厚度,可以得到不同的強度分佈,這是干涉鍍膜的基本原理。

三、方法和材料的區別

1、真空鍍膜的方法材料:

(1)真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗後放到鍍膜室,抽空後將膜料加熱到高溫,使蒸氣達到約13.3pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結而成薄膜。

(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內,保持壓強約1.33~13.

3pa,然後將陰極接上2000v的直流電源,便激發輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。

(3)化學氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物,獲得沉積薄膜的過程。

(4)離子鍍:實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合,兼有兩者的工藝特點。表6-9列出了各種鍍膜方法的優缺點。

2、光學鍍膜方法材料

(1)氟化鎂:無色四方晶系粉末,純度高,用其製備光學鍍膜可提高透過率,不出崩點。

(2)二氧化矽:無色透明晶體,熔點高,硬度大,化學穩定性好。純度高,用其製備高質量si02鍍膜,蒸發狀態好,不出現崩點。按使用要求分為紫外、紅外及可見光用。

(3)氧化鋯:白色重質結晶態,具有高的折射率和耐高溫效能,化學性質穩定,純度高,用其製備高質量氧化鋯鍍膜,不出崩點。

什麼是真空鍍膜技術?

5樓:匿名使用者

所謂真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板於真空室內,採用一定方法加熱待鍍材料,使之蒸發或昇華,並飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。

一、鍍膜的方法及分類

在真空條件下成膜有很多優點:可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中於分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應(如氧化等),以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量,從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10-2pa,對於蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合,則要求壓力更低。

主要分為一下幾類:

蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

蒸發鍍膜:通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於1857年提出,現代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後,加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。

薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間(或決定於裝料量),並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜,常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。

從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.

2電子伏。

蒸發源有三種型別。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質(圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖])電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料。

②高頻感應加熱源:用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質。③電子束加熱源:

適用於蒸發溫度較高(不低於2000[618-1])的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發。

蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層,可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源,在超高真空下當它被加熱到一定溫度時,爐中元素以束狀分子流射向基片。

基片被加熱到一定溫度,沉積在基片上的分子可以徙動,按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜,薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。

濺射鍍膜:用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面,沉積在基片上。濺射現象於1870年開始用於鍍膜技術,1930年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。

常用的二極濺射裝置如圖3[ 二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材——靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾釐米。

系統抽至高真空後充入 10-1帕的氣體(通常為氬氣),在陰極和陽極間加幾千伏電壓,兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極,與靶表面原子碰撞,受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。

與蒸發鍍膜不同,濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法,即將反應氣體 (o、n、hs、ch等)加入ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。

基片裝在接地的電極上,絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地,一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後,高頻電壓不斷改變極性。

等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子,絕緣靶表面帶負電,在達到動態平衡時,靶處於負的偏置電位,從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。

離子鍍:蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面,稱為離子鍍。這種技術是d.

麥托克斯於1963年提出的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片臺作為陰極,外殼作陽極,充入惰性氣體(如氬)以產生輝光放電。

從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子(約佔蒸發料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。

電場對離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百~幾千電子伏)和氬離子對基片的濺射清洗作用,使膜層附著強度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的特點,並有很好的繞射性,可為形狀複雜的工件鍍膜。

二、薄膜厚度的測量

隨著科技的進步和精密儀器的應用,薄膜厚度測量方法有很多,按照測量的方式分可以分為兩類:直接測量和間接測量。直接測量指應用測量儀器,通過接觸(或光接觸)直接感應出薄膜的厚度。

常見的直接法測量有:螺旋測微法、精密輪廓掃描法(臺階法)、掃描電子顯微法(sem);

間接測量指根據一定對應的物理關係,將相關的物理量經過計算轉化為薄膜的厚度,從而達到測量薄膜厚度的目的。

常見的間接法測量有:稱量法、電容法、電阻法、等厚干涉法、變角干涉法、橢圓偏振法。按照測量的原理可分為三類:稱量法、電學法、光學法。

常見的稱量法有:天平法、石英法、原子數測定法;

常見的電學法有:電阻法、電容法、渦流法;

常見的光學方法有:等厚干涉法、變角干涉法、光吸收法、橢圓偏振法。

下面簡單介紹三種:

1. 干涉顯微鏡法

干涉條紋間距δ0,條紋移動δ,臺階高為t=(δ/δ0 )*0.5λ,測出δ0 和δ,即可,其中λ為單色光波長,如用白光,λ取 530nm。

2. 稱重法

如果薄膜面積a,密度ρ和質量m可以被精確測定的話,膜厚t就可以計算出來:

d=m/aρ。

3 石英晶體振盪器法

廣泛應用於薄膜澱積過程中厚度的實時測量,主要應用於澱積速度,厚度的監測,還可以反過來(與電子技術結合)控制物質蒸發或濺射的速率,從而實現對於澱積過程的自動控制。

對於薄膜製造商而言,產品的厚度均勻性是最重要的指標之一,想要有效地控制材料厚度,厚度測試裝置是必不可少的,但是具體要選擇哪一類測厚裝置還需根據軟包材的種類、廠商對厚度均勻性的要求、以及裝置的測試範圍等因素而定。

三、真空鍍膜機保養知識:

1. 關閉泵加熱系統,然後分離蒸鍍室(主要清潔灰塵,於蒸鍍殘渣)

2. 關閉電源或程式打入維護狀態

3. 清潔卷繞系統(幾個滾軸,方阻探頭,光密度測量器)

4. 清潔中罩室(面板四周)

5. 泵系統冷卻後開啟清潔(注意千萬不能掉入雜物,檢查泵油使用時間與量計做出更換或新增處理)

6. 檢查重冷與電氣櫃裝置

這次實習給了我們瞭解了鍍膜技術的原理、技術,使我們瞭解了工廠的生產,感覺很新穎,收穫很多。